发明名称 高精度晶粒黏合方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.04.11
申请号 TW095145545 申请日期 2006.12.07
申请人 先进自动器材有限公司 发明人 温名扬;林永辉
分类号 H01L21/52 主分类号 H01L21/52
代理机构 代理人 邱昱宇 台北市大安区信义路3段202号7楼之4
主权项 一种晶粒键合装置,该装置包括:键合头,其在半导体晶粒供应源和晶粒键合位置之间移动;拾取工具,其安装于该键合头上以在该晶粒键合位置处夹持待键合的晶粒;以及光学元件,其被设置来观察该晶粒键合位置的方位;其中,该键合头被设置以便于位于光学元件和晶粒键合位置之间的、由拾取工具所夹持的晶粒的方位能被光学元件所观察,藉此能将晶粒的方位和晶粒键合位置的方位对齐定位。如申请专利范围第1项所述的晶粒键合装置,其中,该拾取工具的宽度小于晶粒的长度,以致于位于由该拾取工具所夹持的晶粒的角落处的定位图案没有被拾取工具所覆盖。如申请专利范围第1项所述的晶粒键合装置,该装置包含有孔洞,该孔洞延伸穿越该键合头,以便于光学元件通过该孔洞观察由拾取工具所夹持的晶粒。如申请专利范围第3项所述的晶粒键合装置,该装置包含有支撑结构,该支撑结构在键合头的一开口处横向延伸于该孔洞以支撑该拾取工具,其中,该支撑结构的宽度窄于晶粒的长度,以致于位于由该拾取工具所夹持的晶粒的角落处的定位图案没有被支撑结构所覆盖。如申请专利范围第3项所述的晶粒键合装置,其中,该孔洞的形状大体为圆柱形。如申请专利范围第5项所述的晶粒键合装置,其中,该孔洞的纵轴大体垂直于晶粒键合位置的平面。如申请专利范围第1项所述的晶粒键合装置,其中,该光学元件包括双光学系统,以致于每个光学系统被设置来观察晶粒的一端。如申请专利范围第7项所述的晶粒键合装置,其中,该键合头被设置以便于晶粒的每一端能同时被每个光学系统观察。如申请专利范围第1项所述的晶粒键合装置,其中,该光学元件包括单个的光学系统。如申请专利范围第9项所述的晶粒键合装置,其中,该单个的光学系统从观察晶粒一端的一位置处移动到观察晶粒另一端的另一位置处。如申请专利范围第1项所述的晶粒键合装置,其中,沿着光学元件的视场,该键合头在拾取工具安装位置的宽度窄于由拾取工具所夹持晶粒的长度,以便于晶粒延伸超出键合头的边侧的部位能被光学元件观察。如申请专利范围第11项所述的晶粒键合装置,其中,该键合头沿着平行于晶粒键合位置平面的平面的截面面积大体为三角形的形状。如申请专利范围第12项所述的晶粒键合装置,其中,该拾取工具相邻于所述三角形的顶点安装。一种用于键合晶粒的方法,该方法包含有以下步骤:使用光学元件观察晶粒键合位置,以确定该晶粒键合位置的方位;使用安装于键合头的拾取工具从半导体晶粒供应源拾取晶粒;在光学元件和晶粒键合位置之间定位由拾取工具所夹持的晶粒;当晶粒位于光学元件和晶粒键合位置之间时,使用光学元件观察晶粒,以确定该晶粒的方位;将该晶粒的方位和该晶粒键合位置的方位对齐定位;以及此后,在晶粒键合位置键合晶粒。如申请专利范围第14项所述的用于键合晶粒的方法,其中,该键合头包含有在其中延伸的孔洞,该使用光学元件观察晶粒的步骤还包含有下述步骤:将该孔洞和该光学元件对齐定位,以通过该孔洞观察晶粒。如申请专利范围第15项所述的用于键合晶粒的方法,其中,该孔洞的形状大体为圆柱形。如申请专利范围第16项所述的用于键合晶粒的方法,其中,该孔洞的纵轴大体垂直于晶粒键合位置的平面,该将该孔洞和该光学元件对齐定位的步骤还包含有:将该孔洞的纵轴和该光学元件的观察轴线对齐定位。如申请专利范围第14项所述的用于键合晶粒的方法,其中,该使用光学元件观察晶粒的步骤还包含有下述步骤:将键合头的边侧和光学元件对齐定位,以观察由拾取工具夹持的晶粒延伸超出键合头边侧的部位。如申请专利范围第18项所述的用于键合晶粒的方法,其中,沿着光学元件的视场,该键合头在拾取工具安装位置的宽度窄于由拾取工具所夹持晶粒的长度。如申请专利范围第19项所述的用于键合晶粒的方法,其中,该键合头沿着平行于晶粒键合位置平面的平面的截面面积大体为三角形的形状。
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