| 主权项 |
一种串叠(cascode)与串接(cascade)式并以单端输入差动输出实施的低杂讯放大器，其包含：一第一电晶体；一第一电感式阻抗，其第一端连接于该第一电晶体之源极，且第二端接地；一第一闸极电压源，耦合于该第一电晶体之闸极；一匹配电路，其第一端耦合于该第一电晶体之闸极，第二端接地；一输入端，耦合于该匹配电路之第三端；一第二电感式阻抗，其第一端连接于该第一电晶体之汲极；一第二电晶体，其源极连接于该第二电感式阻抗之第二端；一第一电容式阻抗，其第一端连接于该第一电晶体之汲极，第二端连接于该第二电晶体之闸极；一第二闸极电压源，耦合于该第二电晶体之闸极；一第三电晶体，其源极连接至该第一电晶体之汲极；一第三闸极电压源，耦合于该第三电晶体之闸极；一第二电容式阻抗，其第一端连接至该第三电晶体之闸极，第二端接地；一第一阻抗，其第一端连接于该第二电晶体之汲极；一第二阻抗，其第一端连接于该第三电晶体之汲极；一直流电源，连接于该第一阻抗之第二端与该第二阻抗之第二端；一第一电压输出端，连接于该第二电晶体之汲极；及一第二电压输出端，连接于该第三电晶体之汲极。如请求项1所述之低杂讯放大器，其中该三电晶体均系为N型金氧半电晶体。如请求项2所述之低杂讯放大器，其中该第一电晶体之基底系连接于该第一电晶体之源极。如请求项2所述之低杂讯放大器，其中该第二电晶体之基底系连接于该第二电晶体之源极，该第三电晶体之基底系连接于该第三电晶体之源极。如请求项1所述之低杂讯放大器，其中该第一电晶体之基底系接地或一直流电压源。如请求项1所述之低杂讯放大器，其中该第二电晶体之基底系接地或连接于一直流电压源，该第三电晶体之基底系接地或连接于一直流电压源。如请求项2所述之低杂讯放大器，另包含：一第一电阻，连接于该第一电晶体的闸极与该第一闸极电压源之间；一第二电阻，连接于该第二电晶体的闸极与该第二闸极电压源之间；及一第三电阻，连接于该第三电晶体的闸极与该第三闸极电压源之间。如请求项1所述之低杂讯放大器，其中该三电晶体均系为NPN双载子接面电晶体(NPN bipolar junction transistor,NPN BJT)。如请求项8所述之低杂讯放大器，其中该第一电晶体之基底系连接于该第一电晶体之射极。如请求项8所述之低杂讯放大器，其中该第二电晶体之基底系连接于该第二电晶体之射极，该第三电晶体之基底系连接于该第三电晶体之射极。 |
