| 主权项 |
一种形成接触窗的方法，包含：提供一基板，该基板具有一接触区域；形成一柱状物独立于该基板上，该柱状物包含一第一介电层及一填充层于该第一介电层上，且该柱状物覆盖该接触区域，其中形成该柱状物之步骤包含：沉积该第一介电层于该基板上；形成一锥形开口于该第一介电层内；形成该填充层于该锥形开口内；以及以该填充层为罩幕，非等向性蚀刻该第一介电层；形成一第二介电层于该基板上并邻接该柱状物；以及去除该柱状物，以暴露该接触区域而形成接触窗。如申请专利范围第1项形成接触窗的方法，其中形成该锥形开口之步骤包含：形成一图案化光阻于该第一介电层上，该图案化光阻定义一开口；以该图案化光阻为罩幕，电浆蚀刻该第一介电层，以形成该锥形开口；以及去除该图案化光阻。如申请专利范围第1项形成接触窗的方法，其中形成该填充层之步骤包含：以一材料填塞该锥形开口，该材料系与该第一介电层具有蚀刻选择性；以及回蚀刻该材料，以形成该填充层，使得该填充层的顶表面低于该第一介电层顶表面。如申请专利范围第1项形成接触窗的方法，其中在形成该第二介电层之前，更包含形成一间隙壁于该柱状物侧壁。如申请专利范围第4项形成接触窗的方法，更包含于去除该柱状物后，去除该间隙壁。如申请专利范围第4项形成接触窗的方法，其中形成该间隙壁之步骤包含：顺应性地沉积一共形层于该柱状物表面、侧壁及该基板上，该共形层与该第二介电层具有蚀刻选择性；以及非等向性蚀刻该共形层。如申请专利范围第4项形成接触窗的方法，其中形成该第二介电层之步骤包含：沉积一介电材料于该基板上，并覆盖该柱状物，该介电材料与该间隙壁具有蚀刻选择性；平坦化该介电材料，以暴露出该柱状物；以及回蚀刻该介电材料，形成该第二介电层，其中该第二介电层之顶表面低于该柱状物之顶表面。如申请专利范围第1项形成接触窗的方法，其中去除该柱状物之前，更包含形成一保护层覆盖该第二介电层之顶表面。如申请专利范围第8项形成接触窗的方法，其中去除该柱状物之步骤包含：以该保护层为罩幕，利用乾蚀刻去除该填充层，且利用湿蚀刻去除该第一介电层。如申请专利范围第1项形成接触窗的方法，更包含形成一接触于该接触窗之步骤。如申请专利范围第10项形成接触窗的方法，其中形成该接触之步骤包含：全面性沉积一导体层于该第二介电层上，并填塞该接触窗；以及化学机械研磨该导体层。如申请专利范围第1项形成接触窗的方法，其中该第一介电层为氧化物层，且该填充层为多晶矽层。一种形成接触窗的方法，包含：提供一基板，该基板具有一接触区域；形成一第一介电层于该基板上；形成一硬遮罩层于该第一介电层上；形成一锥形开口于该硬遮罩层及该第一介电层内，该锥形开口对应该接触区域；形成一填充层于该锥形开口内，该填充层之顶表面低于该硬遮罩层之顶表面；以该填充层为罩幕，去除该硬遮罩层及部份该第一介电层，以形成一柱状物于该基板上；形成一间隙壁于该柱状物侧壁；形成一第二介电层于该基板上并邻接该间隙壁，该第二介电层之顶表面低于该柱状物的顶表面；形成一保护层覆盖该第二介电层；以及以该保护层为罩幕，去除该柱状物，以形成一接触窗，该接触窗暴露该接触区域。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，其中形成该锥形开口之步骤包含：形成一图案化光阻于该硬遮罩层上，该图案化光阻定义一开口；以该图案化光阻为罩幕，蚀刻该硬遮罩层，以转移该开口至该硬遮罩层；去除该图案化光阻；以该硬遮罩层为罩幕，蚀刻该第一介电层，以形成该锥形开口。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，其中形成该填充层之步骤包含：以一材料填塞该锥形开口，该材料系与该第一介电层具有蚀刻选择性；回蚀刻该材料，以形成该填充层，使得该填充层的表顶面低于该第一介电层面顶表面；以及移除该硬遮罩层。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，其中形成该柱状物之步骤包含：以该填充层为罩幕，非等向性蚀刻该第一介电层，直到暴露该基板，其中该柱状物覆盖该接触区域。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，其中形成该间隙壁之步骤包含：顺应性地沉积一共形层于该柱状物表面、侧壁及该基板上，该共形层与该第二介电层具有蚀刻选择性；以及非等向性蚀刻该共形层。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，其中形成该第二介电层之步骤包含：沉积一介电材料于该基板上，并覆盖该柱状物，该介电材料与该间隙壁具有蚀刻选择性；平坦化该介电材料，以暴露出该柱状物；以及回蚀刻该介电材料，形成该第二介电层。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，更包含于去除该柱状物后，去除该间隙壁。如申请专利范围第13项形成接触窗的方法，更包含：全面性沉积一导体层于该第二介电层上，并填塞该接触窗；以及化学机械研磨该导体层，以形成一接触于该接触窗内。 |
