抗蚀图增厚材料和形成工艺、半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。

主权项

一种抗蚀图增厚材料，包括：树脂；及以下通式(1)所表示的化合物：[X]m‑R‑[Y]n    通式(1)其中，所述通式(1)所表示的化合物为苯基乙醇酸、苯基丙氨酸、苯基甘氨酸、酪氨酸、苯基乳酸、羟基苯基丙酮酸、羟基二甲基苯基丙酸、氨基四氢化萘羧酸、氨基苯基丙酸、苯基谷氨酸、苯基二丙酸、苄基丝氨酸、萘基丙氨酸、甲基环己烷羧酸、氨基环己烷羧酸、或氨基二环庚烷羧酸。