| 发明名称 | 氮化物系半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102007611A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201080001393.8 | 申请日期 | 2010.03.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大屋满明;横川俊哉;山田笃志;矶崎瑛宏 |
| 分类号 | H01L33/40(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物系半导体元件，具备：氮化物半导体叠层结构，其具有表面为m面的p型半导体区域；以及电极，其形成在所述p型半导体区域的所述表面上；所述p型半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0；所述电极包括与所述p型半导体区域的所述表面相接触的Zn层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||