发明名称 次微米尖端电极制造方法及装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.04.01
申请号 TW095140245 申请日期 2006.10.31
申请人 国立虎尾科技大学 发明人 余介文;杨启全;谢文瑜
分类号 C25F3/02 主分类号 C25F3/02
代理机构 代理人 林基源 台中市北区青岛一街37号之2
主权项 一种微尖端电极制造方法,包括:(a)将工作电极置入一容纳有包含有75% H2O、15% H2O2、7.5%HNO3及2.5%HF之蚀刻液的蚀刻槽中;(b)使该工作电极浸泡在该蚀刻液中;(c)控制蚀刻液以0.5~3(cc/min)的流速自该蚀刻槽排出;(d)经约5小时的时间;及(e)将该工作电极以包括有CH3COOH、H2O及HCl且比例为1:1:0.2的电解液做电解研磨,进而制成次微米尖端之金属电极。如申请专利范围第1项所述之方法,其中,步骤(b)中该工作电极浸泡在该蚀刻液中一小时后,再进行步骤(c)。如申请专利范围第1项所述之方法,其中,多次重复步骤(b)与(c),使所制成之该电极呈阶梯状。如申请专利范围第1项所述之方法,其中,以电脑监控排出之该蚀刻液的成份,并补充该蚀刻液的成份,使该蚀刻液供重复使用。如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该工作电极为钛电极。如申请专利范围第1项所述之方法,其中,于步骤(e)中之电解液通以范围为1000mV~1400mV及脉冲频率为10Hz之脉冲波形电流。如申请专利范围第6项所述之方法,其中,该脉冲波形电流系选自三角脉冲波形及方形脉冲波形脉冲波形其中一种。
地址 云林县虎尾镇文化路64号