基于低压工艺的非挥发性存储器单元及阵列和操作方法

摘要

本发明公开了属于集成电路技术领域的一种基于低压工艺的非挥发性存储器单元及阵列结构。其非挥发性存储器单元含有一个存储模块，两个反向隔离电路，一个高压均衡电路和两个金属-氧化物-半导体读取控制传输管。存储模块的两个内部高压输入端分别连接至两个反向隔离电路的两个输出端；存储模块的两个内部高压输入端通过高压均衡电路连接起来，高压均衡电路通过均衡控制端控制其打开与关断；存储模块的两个内部数据输出端连接至两个读取控制传输管的漏极，读取控制传输管的栅极为读取控制端。本发明能够实现写“1”，写“0”和读取操作，同时具有芯片面积小、芯片应用灵活等优点。

主权项

一种基于低压工艺的非挥发性存储器单元，其特征在于：所述基于低压工艺的非挥发性存储器单元含有：一个存储模块：具有所述基于低压工艺的非挥发性存储器单元的两个互补的内部高压输入端：内部高压输入端一VPPIN和内部高压输入端二VPPIN_n；和具有所述基于低压工艺的非挥发性存储器单元的两个互补的内部数据输出端：内部数据输出端一Data和内部数据输出端二Data_n；两个反向隔离电路：反向隔离电路由二极管Diode与Diode_n构成或采用二极管连接的金属一氧化物一半导体晶体管来构建：两个反向隔离电路的两个输入端分别为所述基于低压工艺的非挥发性存储器单元的两个互补的外部高压输入端：外部高压输入端一VPP和外部高压输入端二VPP_n其两个输出端分别连接至所述内部高压输入端一VPPIN和内部高压输入端二VPPIN_n；一个高压均衡电路：其一个输入端连接至所述内部高压输入端一VPPIN，另一个输入端连接至所述内部高压输入端二VPPIN_n；基于低压工艺的非挥发性存储器单元的均衡控制端Balance用于控制所述高压均衡电路的打开与关断；两个金属‑氧化物‑半导体读取控制传输管：其漏极分别为所述基于低压工艺的非挥发性存储器单元的两个互补的外部数据输出端：外部数据输出端一Bitline和外部数据输出端二Bitline_n；其源极分别连接至所述内部数据输出端一Data和内部数据输出端二Data_n；其栅极为所述基于低压工艺的非挥发性存储器单元的读取控制端Read_Enable。