| 发明名称 | 半导体器件灰化制程的检测方法和电特性的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的灰化制程及电特性的检测方法，所述灰化制程的检测方法和电特性的检测方法，均通过灰化制程会产生一层氧化层，通过测试所述半导体的厚度来判断灰化制程是否合格和半导体期间的电特性是否符合要求。 | ||
| 申请公布号 | CN101996909A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056617.4 | 申请日期 | 2009.08.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 曾德强;吴永皓;段晓斌;杨荣华 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;B07C5/04(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的灰化制程的检测方法，包括：提供至少两个半导体基底，所述至少两个半导体基底表面均具有第一浓度的掺杂离子；对所述至少两个半导体基底分别进行不同程度的灰化，在所述至少两个半导体基底上分别形成不同厚度的氧化层；测试灰化后的所述至少两个半导体基底的氧化层的厚度；挑选出符合氧化层厚度要求的半导体器件，其中符合氧化层厚度要求的半导体器件对应的灰化制程为标准灰化制程。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||