发明名称 阵列基板及其制造方法
摘要 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板,衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线,围设形成矩阵形式排列的多个像素单元,每个像素单元中设置有第一TFT开关和像素电极,衬底基板上还形成有公共电极线,阵列基板还包括与公共电极线相连的放电结构;放电结构包括电容、第二TFT开关和放电电源线;电容串联在公共电极线和第二TFT开关的第二栅电极之间,第二TFT开关的第二源电极连接至公共电极线,第二TFT开关的第二漏电极与放电电源线连接。本发明利用了放电结构中TFT开关的工作原理,能够当公共电极线的电压超过一定水平时对公共电极线进行放电,提高了公共电压的稳定性。
申请公布号 CN101995714A 申请公布日期 2011.03.30
申请号 CN200910091908.7 申请日期 2009.08.28
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 王峥
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 丁琛
主权项 一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线,围设形成矩阵形式排列的多个像素单元,每个像素单元中设置有第一TFT开关和像素电极,所述衬底基板上还形成有公共电极线,其特征在于:还包括与所述公共电极线相连的放电结构;所述放电结构包括电容、第二TFT开关和放电电源线;所述电容串联在所述公共电极线和所述第二TFT开关的第二栅电极之间,所述第二TFT开关的第二源电极连接至所述公共电极线,所述第二TFT开关的第二漏电极与所述放电电源线连接。
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