发明名称 |
阵列基板及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板,衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线,围设形成矩阵形式排列的多个像素单元,每个像素单元中设置有第一TFT开关和像素电极,衬底基板上还形成有公共电极线,阵列基板还包括与公共电极线相连的放电结构;放电结构包括电容、第二TFT开关和放电电源线;电容串联在公共电极线和第二TFT开关的第二栅电极之间,第二TFT开关的第二源电极连接至公共电极线,第二TFT开关的第二漏电极与放电电源线连接。本发明利用了放电结构中TFT开关的工作原理,能够当公共电极线的电压超过一定水平时对公共电极线进行放电,提高了公共电压的稳定性。 |
申请公布号 |
CN101995714A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200910091908.7 |
申请日期 |
2009.08.28 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
王峥 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
丁琛 |
主权项 |
一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅极扫描线,围设形成矩阵形式排列的多个像素单元,每个像素单元中设置有第一TFT开关和像素电极,所述衬底基板上还形成有公共电极线,其特征在于:还包括与所述公共电极线相连的放电结构;所述放电结构包括电容、第二TFT开关和放电电源线;所述电容串联在所述公共电极线和所述第二TFT开关的第二栅电极之间,所述第二TFT开关的第二源电极连接至所述公共电极线,所述第二TFT开关的第二漏电极与所述放电电源线连接。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |