发明名称 |
互补镜像式内藏平面电阻架构 |
摘要 |
在此提出一种互补镜像式内藏平面电阻架构,其内藏平面电阻设计是将内藏平面电阻的接地面或电极面做互补式的镂空结构,使得寄生电容最小,此可有效提高应用频率。另外,由于内藏平面电阻有时候下方会有其他信号线通过,若完全无区隔也会造成严重的干扰或是串音(Cross Talk)现象,因此邻近内藏平面电阻的接地面、电极面或电源层的互补式镂空可以设计成网格形状以减少干扰或是串音,此时可以使整个电阻结构在电路中具有最好的高频电气特性。 |
申请公布号 |
CN101179898B |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200610143540.0 |
申请日期 |
2006.11.10 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
卓威明;李明林;赖信助;徐钦山;陈昌升;赖颖俊 |
分类号 |
H05K1/02(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05K1/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
一种互补镜像式内藏平面电阻架构,包括:内藏平面电阻,位于第一平面,两端分别连接第一导线与第二导线;第一接地面,位于第二平面;以及至少一种材料的介电层,介于上述第一平面与上述第二平面之间,其中在上述第一接地面上与上述内藏平面电阻的镜像位置处具有镂空结构,其中上述镂空结构的形状与面积对应于上述内藏平面电阻的形状与面积设计,其中所述的互补镜像式内藏平面电阻架构还包括第二接地面,上述第二接地面位于第三平面,而在上述第二接地面与上述内藏平面电阻的镜像位置处具有另一镂空结构,其中上述另一镂空结构的形状与面积对应于上述内藏平面电阻的形状与面积设计,上述第一平面介于上述第二平面与上述第三平面之间。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |