发明名称 | 选择性射极结构的电极图形的对齐方法 | ||
摘要 | 一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法,包括下列步骤:首先提供一基材,接着于基材上形成一障壁层,并图形化障壁层使部分基材暴露出而形成一电极图形区。然后,改变电极图形区的基材的表面特性,以形成一图形化可视标记。随后,移除障壁层。最后以图形化可视标记作为一对准标记。 | ||
申请公布号 | CN101989634A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
申请号 | CN200910159987.0 | 申请日期 | 2009.08.03 |
申请人 | 益通光能科技股份有限公司 | 发明人 | 陈怀宗 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 许志勇;刘云贵 |
主权项 | 一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法,包括:提供一基材;于所述基材上形成一障壁层,并图形化所述障壁层使部分所述基材暴露出而形成一电极图形区;改变所述电极图形区的所述基材的表面特性,以形成一图形化可视标记;移除所述障壁层;以及以所述图形化可视标记作为一对准标记。 | ||
地址 | 中国台湾台南市 |