半导体存储器件的晶粒上热传感器

摘要

本发明涉及一种半导体存储器件的晶粒上的热传感器(ODTS)，包括：高电压产生单元，其用于产生具有高于所述半导体存储器件的电源电压的电压电平的电压电平的高电压；以及热信息输出单元，其用于感测温度且将其作为热信息码而输出，其中所述热信息输出单元使用所述高电压作为其驱动电压。

主权项

一种半导体存储器件的晶粒上热传感器ODTS，包括：高电压产生单元，其用于产生具有高于外部电源电压的电压电平的电压电平的高电压；以及热信息输出单元，其用于通过使用高电压来感测使用所述外部电源电压的所述半导体存储器件的温度且将所感测的温度作为热信息码而输出，其中所述热信息输出单元包括：热传感器，其用于检测所述半导体存储器件的温度变化以输出第一比较电压，其中所述热传感器使用所述高电压作为其驱动电压以增加所述第一比较电压的可变电压电平；电压电平追踪单元，其用于将所述第一比较电压的电压电平与第二比较电压的电压电平进行比较且响应于所述比较结果而输出所述热信息码，其中所述电压电平追踪单元使用所述高电压作为其驱动电压以增加所述热信息码的精确性；以及调整单元，其用于基于预设参考电压来判定最大变化电压和最小变化电压以追踪所述第一比较电压的所述电压电平，其中所述调整单元使用所述高电压作为其驱动电压以增加在所述最大变化电压与所述最小变化电压之间的间隙，其中所述第二比较电压的所述电压电平在所述最大变化电压与所述最小变化电压之间加以调整。