薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的平板显示器

摘要

一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物，其通过分子式1表示：其中R是被环己基或苯基取代的C1-C20甲硅烷基基团，m是从2到4的整数，n是从1到3，000的整数；一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物，其用来形成分子式1表示的化合物，并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂；一种薄膜晶体管，其包括使用PPV化合物制备的缓冲层；一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此，改进有机TFT的有机半导体层的定位，从而改进了有机TFT的特性。

主权项

1.一种制备薄膜晶体管的方法，该方法包括：通过在基底上涂敷一种用于形成该薄膜晶体管的缓冲层的组合物、以预定的图形曝光该涂敷的基底并显影该曝光的基底而形成图形化的缓冲层，所述组合物用来形成通过分子式1表示的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物：在缓冲层上形成源电极和漏电极；形成使源电极和漏电极以及缓冲层接触的有机半导体层；和形成与源电极和漏电极以及有机半导体层绝缘的栅电极；其中所述组合物包含：一种光致碱发生剂；一种溶剂；和一种通过分子式2表示的前体：其中R是用苯基取代的C1-C20甲硅烷基基团；m是从2到4的整数；X是氯、溴或碘；和n是大于1直到3,000的整数；并且其中光致碱发生剂由分子式3表示：其中R₁、R₂、R₃、R₄和R₅彼此独立地是氢、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基或硝基，R₁和R₂中的至少一个是硝基；R₆和R₇彼此独立地是氢、C1-C10烷基或者C6-C20芳基基团。