薄膜晶体管阵列基板制造方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，该制造方法通过在第二金属层上直接形成透明导电层，并在光刻胶剥离之前沉积钝化层，然后通过剥离工序将像素电极、源极上电极、漏极上电极以及数据线上电极和数据焊盘上电极上的光刻胶连同其上的钝化层剥离掉，因而减少了一道光罩工序，可以简化制造过程，降低成本，提高产量。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一基板，并在该基板上形成一第一金属层和一第一光刻胶层，利用一第一光罩在该第一金属层之上形成栅线、栅极和栅焊盘；在该基板上继续依次沉积一栅绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层、一第二金属层和一第二光刻胶层，利用一第二光罩在该第二金属层之上形成源极、漏极、沟道以及数据线下电极和数据焊盘下电极，所述第二光罩为一多灰阶光罩；在该基板上继续沉积一透明导电层和一第三光刻胶层，利用一第三道光罩形成像素电极、源极上电极、漏极上电极以及数据线上电极和数据焊盘上电极；在第三光刻胶剥离之前继续沉积钝化层，之后通过剥离工序将像素电极、源极上电极、漏极上电极以及数据线上电极和数据焊盘上电极上的第三光刻胶连同其上的钝化层一起剥离掉。