半导体器件和闪存器件的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体器件和闪存器件的制作方法，所述半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；形成一图形化的硬式掩膜层于衬底上；以该硬式掩膜层蚀刻衬底，形成多个沟槽于衬底中；形成一旋转涂布介电层于衬底上，并填入沟槽中；进行一第一研磨过程；形成一图案化光刻胶；进行一第一回蚀刻过程，蚀刻未被图案化光刻胶覆盖的外围区的旋转涂布介电层；移除图案化光刻胶；进行一第二回蚀刻过程，回蚀刻阵列区和外围区沟槽中的旋转涂布介电层；形成一高密度等离子体介电层，于沟槽中的旋转涂布介电层上；及进行一第二研磨过程，形成多个浅沟槽隔离结构。本发明实施例采用湿蚀刻技术来实现半导体器件的回蚀刻过程。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述的衬底包括一阵列区和一外围区；形成一图形化的硬式掩膜层于所述衬底上；以所述的图形化的硬式掩膜层为掩膜，蚀刻所述衬底，形成多个沟槽于所述衬底中；形成一旋转涂布介电层于所述衬底上，并填入所述的多个沟槽中；进行一第一研磨过程，移除超过所述图形化的硬式掩膜层表面的部份所述的旋转涂布介电层；形成一图案化光刻胶，覆盖部份所述的阵列区的旋转涂布介电层；进行一第一回蚀刻过程，蚀刻未被所述的图案化光刻胶覆盖的外围区的旋转涂布介电层；移除所述的图案化光刻胶；进行一第二回蚀刻过程，回蚀刻所述的阵列区和外围区沟槽中的旋转涂布介电层；形成一高密度等离子体介电层，于所述的沟槽中的旋转涂布介电层上；及进行一第二研磨过程，移除超过所述的图形化的硬式掩膜层表面的部份高密度等离子体介电层，形成多个浅沟槽隔离结构。