存储器元件

摘要

一种存储器元件，含多端口SRAM单元；第一位线、第一互补位线、第二位线、第二互补位线导体，耦接SRAM单元端口；第一及第二字线导体，耦接SRAM单元端口；Vdd电源导体及四个Vss电源导体，耦接SRAM单元，位线导体及电源导体平行设置于第一金属化层中，Vdd电源导体位于中心，位线导体中的第一对位于Vdd电源导体的第一侧上，位线导体中的第二对位于Vdd电源导体的第二侧上，四个Vss电源导体的第一及第二个邻接Vdd电源导体设置，分别位于Vdd电源导体的第一及第二侧上，第三Vss电源导体设于第一对位线导体间，第四Vss电源导体设于第二对位线导体间。本发明限制单元电流下降及薄膜双端口单元的不对称问题。

主权项

一种存储器元件，包括：一多端口静态随机存取存储器单元；一第一位线导体、一第一互补位线导体、一第二位线导体、及一第二互补位线导体，耦接至该静态随机存取存储器单元的存取端口；一第一字线导体及一第二字线导体，耦接至该静态随机存取存储器单元的存取端口；以及一Vdd电源供应导体及四个Vss电源供应导体，耦接至该静态随机存取存储器单元，其中，所述位线导体及所述电源供应导体平行设置于一第一共同金属化层之中，在该第一共同金属化层中，该Vdd电源供应导体在所述导体之中是位于中心的，所述位线导体中的一第一对，位于该Vdd电源供应导体的一第一侧上，所述位线导体中的一第二对，位于该Vdd电源供应导体的一第二侧上，该四个Vss电源供应导体中的一第一个及一第二个是邻接该Vdd电源供应导体而设置，分别位于该Vdd电源供应导体的该第一侧及该第二侧上，一第三Vss电源供应导体设置于所述位线导体的该第一对的位线导体之间，及一第四Vss电源供应导体设置于所述位线导体的该第二对的位线导体之间。