| 发明名称 | 一种用于制造半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供具有第一杂质类型的第一杂质浓度的第一半导体衬底，b)使第一半导体衬底经受第一热处理，从而降低与第一半导体衬底的一个主表面相邻的改性层中的第一杂质浓度，c)将具有降低的第一杂质浓度的改性层至少部分地转移到第二衬底上，从而获得改性的第二衬底，以及d)特别是通过常规外延生长，提供具有不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第二杂质浓度的层。通过这样做，可以防止由第二杂质类型掺杂物对使用具有第一杂质类型掺杂物的半导体材料的生产线的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101989567A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN201010223760.0 | 申请日期 | 2010.06.18 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 克里斯托夫·马勒维尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;张旭东 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体衬底特别是绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供具有第一杂质类型的第一杂质浓度的第一半导体衬底，b)使第一半导体衬底经受第一热处理，从而降低与第一半导体衬底的一个主表面相邻的改性层中的第一杂质浓度，c)将具有降低的第一杂质浓度的改性层至少部分地转移到第二衬底上，从而获得改性的第二衬底，以及d)特别是通过外延生长，在改性的第二衬底的转移层上提供一层，该层具有不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第二杂质浓度。 | ||
| 地址 | 法国克莱斯 | ||