| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一些示范性实施例包括用于半导体结构的方法和半导体结构，该结构包括：包括源/漏区、栅介质、栅极、沟道区的MOS晶体管；碳掺杂SiGe区，其将应力施加在沟道区上，从而在随后的热处理之后碳掺杂SiGe区保持在沟道区上的应力/应变。 | ||
| 申请公布号 | CN1979787B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200610142730.0 | 申请日期 | 2006.10.30 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;特许半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘金平;贾德森·R·霍尔特 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 冯谱 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，包括步骤：在半导体衬底中或在半导体衬底上至少形成碳掺杂SiGe区；在衬底上形成MOS晶体管；所述MOS晶体管包括源和漏区，栅介质，栅极和在所述栅极下方的沟道区；在形成所述碳掺杂SiGe层之后；在超过400℃的温度下对所述衬底进行退火；从而所述碳掺杂SiGe区将应力施加在沟道区上，并从而在该退火之后，所述碳掺杂SiGe区将更多应力保持在沟道区上；其中所述碳掺杂SiGe层在所述衬底中与所述栅极相邻，所述碳掺杂SiGe层不直接在所述栅极下方；所述源和漏区至少部分地形成在所述碳掺杂SiGe层中。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||