| 主权项 |
一种形成一鳍式场效电晶体(FinFET)之方法，其包括以下步骤：在一矽基板上形成具有一鳍状物高度及一鳍状物厚度之至少一鳍状物；形成一闸极，其具有一大于该鳍状物高度之高度且在一本体区域中与该鳍状物相交；在该闸极及该等鳍状物上形成一等形层；方向性地蚀刻该等形层，直至在该等鳍状物之一源极/汲极区中移除该等形层，藉此在该闸极上形成一与该鳍状物高度相等之闸极覆盖物；及当由该闸极覆盖物将该闸极与该组鳍状物隔离时，增加该鳍状物厚度。如请求项1之方法，其中该闸极高度使得在该蚀刻该等形层之步骤后，该闸极覆盖物具有一大于或等于该鳍状物高度的高度。如请求项1之方法，其进一步包括以下步骤：在该鳍式场效电晶体(FinFET)上沈积至少一临时层；在该等鳍状物之一本体区域中与该鳍状物相交的该临时层中形成一镶嵌孔；及在该镶嵌孔中形成一闸极。如请求项2之方法，其进一步包括以下步骤：在该鳍式场效电晶体(FinFET)上沈积至少一临时层；在该等鳍状物之一本体区域中与该鳍状物相交的该临时层中形成一镶嵌孔；及在该镶嵌孔中形成一闸极。如请求项3之方法，其进一步包括以下步骤：在该镶嵌孔中使该鳍状物变薄，藉此减少该鳍状物之一本体区域中之一初始鳍状物厚度。如请求项4之方法，其进一步包括以下步骤：在该镶嵌孔中使该鳍状物变薄，藉此减少该鳍状物之一本体区域中之一初始鳍状物厚度。如请求项3之方法，其进一步包括以下步骤：在该等鳍状物上沈积一磊晶材料，藉此增加一初始的鳍状物厚度。如请求项4之方法，其进一步包括以下步骤：在该等鳍状物上沈积一磊晶材料，藉此增加一初始的鳍状物厚度。如请求项5之方法，其进一步包括以下步骤：在该等鳍状物上沈积一磊晶材料，藉此增加一初始的鳍状物厚度。如请求项6之方法，其进一步包括以下步骤：在该等鳍状物上沈积一磊晶材料，藉此增加一初始的鳍状物厚度。一种鳍式场效电晶体(FinFET)，其包括：在一矽基板上具有一鳍状物高度及一鳍状物厚度之至少一鳍状物；一闸极，其具有一大于该鳍状物高度的高度，且与一本体区域中之该鳍状物相交而形成；一藉由蚀刻一安置于该闸极及该等鳍状物上之等形层而形成之闸极覆盖层；该等形层经方向性地蚀刻，直至在该等鳍状物之一源极/汲极区中将该等形层移除，藉此在该闸极上形成与该鳍状物高度相同之该闸极覆盖物；及当由该闸极覆盖物将该闸极与该组鳍状物隔离时，增加该鳍状物厚度之一磊晶材料。如请求项11之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该闸极之高度使得该闸极覆盖物在该蚀刻该等形层之步骤后具有一大于或等于该鳍状物高度的高度。如请求项11之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该闸极系经自我对准于该FinFET之一本体；位于该等鳍状物之一本体区域中与该鳍状物相交之一临时层中之一镶嵌孔中。如请求项12之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该闸极系自我对准于该鳍式场效电晶体(FinFET)之一本体；位于该等鳍状物之一本体区域中与该鳍状物相交之一临时层中之一镶嵌孔中。如请求项13之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中在该镶嵌孔中该鳍状物系经薄化，藉此减少该鳍状物之一本体区域中之一初始的鳍状物厚度。如请求项14之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中在该镶嵌孔中之该鳍状物系经薄化，藉此减少该鳍状物之一本体区域中之一初始的鳍状物厚度。如请求项13之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该等鳍状物具有一磊晶材料层，藉此增加一初始的鳍状物厚度。如请求项14之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该等鳍状物具有一磊晶材料层，藉此增加一初始的鳍状物厚度。如请求项15之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该等鳍状物具有一磊晶材料层，藉此增加一初始的鳍状物厚度。如请求项16之鳍式场效电晶体(FinFET)，其中该等鳍状物具有一磊晶材料层，藉此增加一初始的鳍状物厚度。 |
