一种槽型MOS功率器件

摘要

本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽型MOS功率器件。本发明的槽型功率MOS器件具有槽栅结构和槽源结构，不仅保持功率VDMOS可并联产生大电流和元胞尺寸小的特点，而且兼具可集成的优点。在反向耐压状态下，槽栅结构和槽源结构辅助耗尽漂移区，可以显著提高漂移区的掺杂浓度，降低器件导通电阻；在正向导通状态下，漂移区中靠近槽栅结构一侧形成高浓度的多子积累层，进一步降低导通电阻。本发明尤其适用于槽型MOS功率器件。

主权项

一种槽型MOS功率器件，包括自下而上依次设置的衬底层(1)、第一导电类型重掺杂半导体源区(8)、第二导电类型半导体体区(3)、第一导电类型半导体漂移区(2)和第一导电类型重掺杂半导体漏区(6)；所述第二导电类型半导体体区(3)的中部设置有第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)；所述第一导电类型重掺杂半导体漏区(6)的上表面接金属化漏极；其特征在于，还包括槽源结构和槽栅结构；所述槽源结构包括介质层(5)和纵向贯穿介质层(5)的金属化源极；所述槽源结构自器件表面延伸入器件内部，且依次贯穿第一导电类型重掺杂半导体漏区(6)、第一导电类型半导体漂移区(2)和第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)，其中，所述金属化源极的底部与第一导电类型重掺杂半导体源区(8)的上表面连接，所述介质层(5)的底部位于第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)中；所述槽栅结构位于器件外围，由栅介质(4)和位于栅介质(4)中的栅导电材料(9)构成；所述栅介质(4)的底部接衬底层(1)的上表面；所述栅导电材料(9)的上表面接栅电极。