| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体硅太阳能电池，包括：p型晶体硅的衬底，所述衬底上的n型层，所述n型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于4.26eV。所述透明导电膜包括LaB6，其功函数的范围为2.6至3.0eV，所述透明导电膜的透光率为35％至70％。由于采用透明导电膜作为电池的阴极，有利于太阳光透过阴极入射至pn结，提高入射光的使用率从而将更多的光能转换为电能，而且，该透明导电膜的功函数至少不高于金属银的功函数，可以与n型层形成良好的欧姆接触，从而提高电子的注入效率，因此，所述晶体硅太阳能电池具有更高的转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101986437A | 申请公布日期 | 2011.03.16 |
| 申请号 | CN200910090149.2 | 申请日期 | 2009.07.29 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 胡立琼 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：p型晶体硅的衬底，所述衬底上的n型层，所述n型层上的阴极；其中，所述阴极为透明导电膜，其功函数小于或等于4.26eV。 | ||
| 地址 | 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路一号 | ||