发明名称 增压电路
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.03.11
申请号 TW093113108 申请日期 2004.05.10
申请人 三五半导体股份有限公司 发明人 维尼 史都伯
分类号 H03K17/00 主分类号 H03K17/00
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项 一种开关系统,包含:一射频开关元件,构型来接收一射频(RF)输入信号;一第一电压供应终端,构型来接收一第一直流(DC)供应电压;及一增压电路,构型来接收该RF输入信号及该第一DC供应电压,及响应该RF输入信号及该第一DC供应电压而提供一DC输出电压以允许该RF输入信号通过该射频开关元件而被路由,其中该DC输出电压大于该第一DC供应电压,且该第一DC供应电压大于零伏特。如申请专利范围第1项之开关系统,其中该增压电路包含:一第一电容器,具有一第一终端,该第一终端系耦合以接收该RF输入信号;及一整流器电路,耦合至该第一电容器之一第二终端,及该第一电压供应终端,其中该整流器电路系构型来响应该RF输入信号及该第一DC供应电压而提供该DC输出电压。如申请专利范围第2项之开关系统,其中该整流器电路包含:一第一二极体及一第一电阻器,串联耦合于该第一电压供应终端与该第一电容器之该第二终端之间。如申请专利范围第3项之开关系统,其中该整流器电路更包含:一第二二极体及一第二电阻器,串联耦合于该第一电容器之该第二终端与该射频开关元件之间。如申请专利范围第4项之开关系统,更尚包含:一第二电容器,耦合于该第一电压供应终端与该射频开关元件之间。如申请专利范围第5项之开关系统,其中该第二电容器及串联连接之该第二二极体及该第二电阻器,系耦合于一第一节点,且更包含:一第三电阻器,耦合于该第一节点与该射频开关元件之间。如申请专利范围第4项之开关系统,更包含:一第二电容器,耦合于一第二电压供应终端与该射频开关元件之间。如申专利范围第7项之开关系统,其中该第二电容器及串联连接之该第二二极体及该第二电阻器系耦合于第一节点,且更包含:一第三电阻器,耦合于该第一节点与该射频开关元件之间。如申请专利范围第4项之开关系统,更包含:一第二电容器及一第三电阻器,并联连接于该第二二极体与该射频开关元件之间。如申请专利范围第4项之开关系统,更包含:一第三电阻器,与该第二电阻器及第二二极体串联耦合。如申请专利范围第3项之开关系统,其中该第一二极体之一阴极耦合至该第一电容器之该第二终端。如申请专利范围第3项之开关系统,其中该第一二极体之一阳极耦合至该第一电容器之该第二终端。如申请专利范围第4项之开关系统,其中该第一二极体之一阴极及该第二二极体之一阳极系耦合至该第一电容器之该第二终端。如申请专利范围第3项之开关系统,其中该第一二极体之一阳极及该第二二极体之一阴极系耦合至该第一电容器之该第二终端。一种控制射频(RF)开关之方法,包含:施加一RF输入信号至该RF开关及一增压电路;施加一第一DC供应电压至该增压电路;响应该第一DC供应电压及该RF输入信号而产生一DC输出电压,其中该DC输出电压大于该第一DC供应电压,且该第一DC供应电压大于零伏特;及以该DC输出电压控制该RF开关,其中该DC输出电压允许该RF输入信号通过该RF开关而被路由。如申请专利范围第15项之方法,其中产生该DC输出电压之步骤包含响应该第一DC供应电压及该RF输入信号而充电及放电一第一电容器。如申请专利范围第16项之方法,其中产生该DC输出电压之步骤更包含响应该第一DC供应电压及该RF输入信号而充电及放电一第二电容器。如申请专利范围第16项之方法,其中产生该DC输出电压之步骤更包含响应一第二DC供应电压及该RF输入信号而充电及放电一第二电容器。一种开关系统,包含:一射频开关元件,构型来接收一射频(RF)输入信号及一第一DC供应电压;一第一电压供应终端,构型来接收该第一DC供应电压;及一增压电路,构型来接收及响应该RF输入信号及该第一DC供应电压,而提供一DC输出电压以控制该射频开关元件,其中该DC输出电压大于该第一DC供应电压,且该第一DC供应电压大于零伏特。
地址 美国