| 主权项 |
一种电晶体元件结构，至少包含：一闸极，系形成于一可挠式基板上；以及一源极与汲极，系形成于该基板上，而与上述闸极之间设置一通道层，而上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体，其中，上述闸极、源极与汲极布局设计为一形状，上述形状使得形成上述源极与上述汲极之间在上述通道层内形成之通道区域在一第一方向与一第二方向之电通量实质上相等，其中上述第一方向与一第二方向垂直。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，其中上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体之结构为一顶闸极(Top Gate)结构。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，其中上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体之结构为一底闸极(Bottom Gate)结构。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，上述电晶体包括非晶矽薄膜电晶体(a－Si TFT)、微晶矽薄膜电晶体(micro－Si TFT)、多晶矽薄膜电晶体(p－Si TFT)或有机薄膜电晶体(OTFT)。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，其中上述可挠式基板包括塑胶基板、玻璃基板或金属箔(Metal foil)。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，其中上述闸极、源极与汲极布局设计之形状为一L型。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，其中上述闸极、源极与汲极布局设计之形状为一圆形。如申请专利范围第1项所述之电晶体元件结构，其中上述闸极、源极与汲极布局设计之形状为一U型。一种可挠式显示器，具有多数个电晶体之面板，而上述电晶体之布局设计包含：一闸极，系形成于一可挠式基板上；以及一源极与汲极，系形成于上述可挠式基板上，而与上述闸极之间设置一通道层，而上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体，其中，上述闸极、源极与汲极布局设计为一形状，上述形状使得形成上述源极与上述汲极之间在上述通道层内形成之通道区域在一第一方向与一第二方向之电通量实质上相等，其中上述第一方向与一第二方向垂直。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，其中上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体之结构为一顶闸极(Top Gate)结构。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，其中上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体之结构为一底闸极(Bottom Gate)结构。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，上述电晶体包括非晶矽薄膜电晶体(a－Si TFT)、微晶矽薄膜电晶体(micro－Si TFT)、多晶矽薄膜电晶体(p－Si TFT)或有机薄膜电晶体(OTFT)。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，其中上述可挠式基板包括塑胶基板、玻璃基板或金属箔(Metal foil)。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，其中上述闸极、源极与汲极布局设计之形状为一L型。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，其中上述闸极、源极与汲极布局设计之形状为一圆形。如申请专利范围第9项所述之可挠式显示器，其中上述闸极、源极与汲极布局设计之形状为一U型。一种可挠式电路板，包括多数个电晶体配置其上，而上述电晶体之布局设计包含：一闸极，系形成于一可挠式基板上；以及一源极与汲极，系形成于上述可挠式基板上，而与上述闸极之间设置一通道层，而上述闸极、源极与汲极形成上述之电晶体，其中，上述闸极、源极与汲极布局设计为一形状，上述形状使得形成上述源极与上述汲极之间在上述通道层内形成之通道区域在一第一方向与一第二方向之电通量实质上相等，其中上述第一方向与一第二方向垂直。 |
