发明名称 |
多晶单片铝酸镁尖晶石 |
摘要 |
本发明公开了一种多晶单片铝酸镁尖晶石。该多晶单片铝酸镁尖晶石粒径小并可以作为厚的一片沉积物沉积在衬底上。该多晶单片铝酸镁尖晶石可以通过化学气相淀积来制备和沉积。本发明还公开了由多晶单片铝酸镁尖晶石制作的制品。 |
申请公布号 |
CN101451268B |
申请公布日期 |
2011.03.09 |
申请号 |
CN200810188743.0 |
申请日期 |
2008.08.27 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料有限公司 |
发明人 |
J·S·戈尔拉;H·A·G·斯特恩 |
分类号 |
C30B28/14(2006.01)I;C30B29/22(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈哲锋 |
主权项 |
一种制造包括多晶单片铝酸镁的制品的方法,所述方法包括:a)提供晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的第一层多晶单片铝酸镁;b)在晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的第一层多晶单片铝酸镁上沉积导电且选择钝化的图案;c)在与第一层多晶单片铝酸镁相对的导电且选择性钝化的图案上沉积晶粒尺寸为70微米或更小且厚度至少为0.5mm的第二层单片铝酸镁,以形成制品。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |