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发明名称 TESTING A MEMORY DEVICE HAVING FIELD EFFECT TRANSISTORS SUBJECT TO THRESHOLD VOLTAGE SHIFTS CAUSED BY BIAS TEMPERATURE INSTABILITY
摘要
申请公布号 KR20110021892(A) 申请公布日期 2011.03.04
申请号 KR20107028148 申请日期 2009.05.15
申请人 QUALCOMM INCORPORATED 发明人 CHEN NAN;LEE SIAN YEE SEAN;JUNG, SEONG OOK;WANG ZHONGZE
分类号 G11C29/50;G11C29/10 主分类号 G11C29/50
代理机构 代理人
主权项
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