| 发明名称 | 用于碳化硅器件的双保护环边缘终端和制造具有双保护环边缘终端的碳化硅器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了用于半导体器件的边缘终端结构，包括在半导体层中的多个隔开的同心浮置保护环，至少部分环绕半导体结。隔开的同心浮置保护环具有重掺杂部分和轻掺杂部分。在此还提供了制作器件的相关方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101981700A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200980111322.0 | 申请日期 | 2009.02.05 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | 张清纯;C·乔纳斯;A·K·阿加瓦尔 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 金晓 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件的边缘终端结构，包括：位于半导体层中的多个隔开的同心浮置保护环，其至少部分地围绕半导体结，所述隔开的同心浮置保护环具有重掺杂部分和轻掺杂部分。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||