半导体基板、半导体装置、及它们的制造方法

摘要

本发明的半导体基板具有：单晶Si基板，具有包含沟道区、源区和漏区的活性层，不具有阱结构和沟道截止区；栅绝缘膜，形成在上述单晶Si基板上；栅电极，形成在上述栅绝缘膜上；LOCOS氧化膜，形成在上述活性层的周围的上述单晶Si基板上，膜厚比上述栅绝缘膜的膜厚厚；以及绝缘膜，形成在上述栅电极和LOCOS氧化膜上。由此，提供一种半导体基板、半导体装置和它们的制造方法，在大型绝缘基板上形成非单晶Si半导体元件和单晶Si半导体元件而制造集成了高性能系统的半导体装置的情况下，能简化单晶Si部分的制造工序，且在转印到大型绝缘基板上后，不用高精度的光刻蚀法就能实现微细的单晶Si半导体元件的元件分离。

主权项

一种半导体装置，包含绝缘基板和形成于该绝缘基板上的单晶Si半导体元件，其特征在于，上述单晶Si半导体元件具有：栅电极，形成在上述绝缘基板的上方；栅绝缘膜，形成在上述栅电极上；活性层，形成在上述栅绝缘膜上，并由包含打入有用于P型化或N型化的离子的沟道区、与上述沟道区相反类型的源区和漏区的单晶Si层构成，该活性层的与上述栅绝缘膜接触一侧的整个面都与上述栅绝缘膜接触；LOCOS氧化膜，与上述栅绝缘膜在同层接触，比上述栅绝缘膜厚，并形成在上述活性层的周围；以及层间绝缘膜，在上述活性层和LOCOS氧化膜上相邻接地形成，上述半导体装置还具有：第1绝缘膜，形成在上述绝缘基板和栅电极之间；第2绝缘膜，形成在上述绝缘基板和第1绝缘膜之间；至少1层的第1布线层，形成在上述第1绝缘膜的下表面侧，一端连接在上述源区或上述漏区上；以及第2布线层，形成为在上述层间绝缘膜上露出，并且至少贯通上述层间绝缘膜和上述LOCOS氧化膜地连接于上述第1布线层上。