门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法

摘要

本发明涉及门极灵敏触发单向晶闸管芯片及其制造方法，门极灵敏触发单向晶闸管芯片，P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点；表面薄膜电阻条由掺杂多晶硅薄膜制成，该表面薄膜电阻条的阻值与温度呈反比；表面薄膜电阻条的阻值为10～80KΩ。该芯片制造方法，在N＋发射区扩散与光刻沟槽窗口步骤之间增加LPCVD多晶硅薄膜沉积、离子注入多晶硅掺杂、光刻薄膜电阻条、LPCVD氧化层保护和离子注入掺杂退火步骤，本发明的优点：减小了产品电参数受温度的影响，抗干扰能力强，门极灵敏度高。

主权项

门极灵敏触发单向晶闸管芯片，包括N+发射区、阴极电极K、门极电极G、P型连接孔、沟槽、对通隔离扩散区和P型短基区，所述阴极电极K位于N+发射区的顶面，所述N+发射区位于P型短基区的顶面，所述沟槽是开于芯片的顶面四周的环形槽，所述门极电极G设于P型短基区顶部一侧，所述P型连接孔设于与门极电极G相对应的P型短基区顶部另一侧，在芯片的整个底面和前、后、左、右的四个立面均有连成一体的对通隔离扩散区，其特征是：所述P型连接孔与N+发射区之间连接有一个表面薄膜电阻条，该表面薄膜电阻条一端通过金属欧姆接触连接至阴极电极K并形成欧姆接触点，另一端通过金属欧姆接触连接至P型引线孔并形成欧姆接触点；所述表面薄膜电阻条由掺杂多晶硅薄膜制成，该表面薄膜电阻条的阻值与温度呈反比；所述表面薄膜电阻条的阻值为10～80KΩ。