发明名称 一种用于微纳材料的尺寸缩减方法及电极制作方法
摘要 本发明提供一种采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现微纳材料尺寸缩减的方法及电极制作方法。该方法采用低束流FIB刻蚀,使刻蚀具有原子尺度分辨率的图形加工精度,还可以用来对三维复杂纳米结构从不同入射角度、不同部位进行选择性尺寸缩减。
申请公布号 CN101966977A 申请公布日期 2011.02.09
申请号 CN201010259775.2 申请日期 2010.08.20
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 李无瑕;顾长志;崔阿娟
分类号 B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种用于微纳材料的尺寸缩减方法,其特征在于,采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现尺寸缩减。
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号