发明名称 | 一种用于微纳材料的尺寸缩减方法及电极制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现微纳材料尺寸缩减的方法及电极制作方法。该方法采用低束流FIB刻蚀,使刻蚀具有原子尺度分辨率的图形加工精度,还可以用来对三维复杂纳米结构从不同入射角度、不同部位进行选择性尺寸缩减。 | ||
申请公布号 | CN101966977A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
申请号 | CN201010259775.2 | 申请日期 | 2010.08.20 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 李无瑕;顾长志;崔阿娟 |
分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
主权项 | 一种用于微纳材料的尺寸缩减方法,其特征在于,采用FIB低束流扫描刻蚀方法实现尺寸缩减。 | ||
地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |