| 发明名称 | 半导体发光装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体发光装置(100)具有如下结构：具备衬底部件(130)和配置在上述衬底部件(130)上的半导体发光元件(110)，上述衬底部件(130)具备：基板(131)；电极部(正电极134、负电极135、凸块140～144)，配置在上述基板(131)的上表面上，与上述半导体发光元件(110)直接接触；及反射部(132)，配置在上述基板(131)的上表面上，不与上述半导体发光元件(110)及上述电极部直接接触。从而能够提供一种半导体发光装置，不管反射率高的材料是否适合作为电极，可以用它将输出光高效地输出到外部。 | ||
| 申请公布号 | CN101527344B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200910132586.6 | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小屋贤一;岸本幸男 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈萍 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，其特征在于，具备衬底部件和配置在上述衬底部件上的半导体发光元件，上述衬底部件具备：基板；电极部，配置在上述基板的上表面上，与上述半导体发光元件直接接触；及反射部，配置在上述基板的上表面上，不与上述半导体发光元件及上述电极部直接接触；上述反射部的离上述半导体发光元件远的部分比近的部分，反射来自上述半导体发光元件的光的比例高；在基板的上表面的未被半导体发光元件遮挡的开放部分，除了上述电极部以外，上述反射部配置成大致遍及整个面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||