发明名称 衬底的制造方法
摘要 本发明涉及一种衬底的制造方法,其包括以下步骤:在基部件中形成通孔;用绝缘材料填充通孔;执行非电解镀以用非电解镀层涂覆已经用绝缘材料填充通孔的基部件的表面;在基部件的表面上形成的非电解镀层上涂敷光致抗蚀剂;光学曝光和显影光致抗蚀剂以便形成抗蚀剂图案,该抗蚀剂图案涂覆用绝缘材料填充的通孔的端面;使用抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻形成于基部件的表面上的导电层;以及使用非电解镀层作为释放层,从基部件去除涂覆通孔的端面的抗蚀剂图案。本发明可以可靠地防止在镀通孔部分与芯部分之间的短路。
申请公布号 CN101409985B 申请公布日期 2011.02.09
申请号 CN200810145362.4 申请日期 2008.08.07
申请人 富士通株式会社 发明人 饭田宪司;阿部知行;前原靖友;平野伸;中川隆;吉村英明;山胁清吾;尾崎德一
分类号 H05K3/46(2006.01)I;H05K3/42(2006.01)I;H05K3/44(2006.01)I 主分类号 H05K3/46(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 张龙哺;陈晨
主权项 一种衬底的制造方法,包括以下步骤:在基部件中形成通孔;用绝缘材料填充所述通孔;执行非电解镀,以用非电解镀层涂覆所述基部件的表面,在所述基部件中,所述通孔已经填充有所述绝缘材料;在形成于所述基部件的表面上的所述非电解镀层上涂敷光致抗蚀剂;光学曝光和显影所述光致抗蚀剂,以形成涂覆填充有所述绝缘材料的所述通孔的端面的抗蚀剂图案;使用所述抗蚀剂图案作为掩模,蚀刻形成于所述基部件的表面上的导电层;以及使用所述非电解镀层作为释放层,从所述基部件去除涂覆在所述通孔的端面上的所述抗蚀剂图案。
地址 日本神奈川县川崎市
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