| 主权项 |
1.一种多阶罩幕式唯读记忆体元件,适用于一矽基底上,该多阶罩幕式唯读记忆体元件包括:复数个浓掺杂源极/汲极区形成于该矽基底中,以一第一方向延伸形成复数条位元线;复数个闸极氧化层形成于该矽基底上,以垂直于该第一方向之一第二方向延伸,并于该等闸极氧化层下方每两相邻位元线间之矽基底中形成电晶体通道区;其中,该电晶体通道区上方之该闸极氧化层厚度系选自一级数序列;以及复数个闸极电极形成于该等闸极氧化层上方,以该第二方向延伸形成复数条字元线;其中,该电晶体通道区、该电晶体通道区连接之两源极/汲极区、该电晶体通道区上方之该闸极氧化层及该闸极电极共同形成一个记忆单元,藉该闸极氧化层之厚度变化,改变临界电位,形成多阶储存记忆单元。2.如申请专利范围第1项所述之一种多阶罩幕式唯读记忆体元件,其中,该级数序列为150.280.470及660,单位为埃( )之四阶级数,而形成具有四阶储存记忆单元之唯读记忆体元件。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之一种多阶罩幕式唯读记忆体元件,其中,该级数序列更包括大于等于二阶之各类级数序列。4.如申请专利范围第3项所述之一种多阶罩幕式唯读记忆体元件,其中,该闸极电极之材质为复晶矽。5.如申请专利范围第3项所述之一种多阶罩幕式唯读记忆体元件,其中,该闸极电极之材质为复晶矽金属化合物。6.一种多阶罩幕式唯读记忆体元件之制造方法,适用于一矽基底上,该制造方法包括:以一罩幕定义,实施一离子布植程序,形成复数个浓掺杂源极/汲极区于该矽基底中,并以一第一方向延伸形成复数条位元线。复数个编码化学气相沈积程序以形成复数个闸极氧化层于该矽基底上方,该等闸极氧化层以一第二方向延伸,而于该等闸极氧化层下方每两相邻位元线间之矽基底中形成电晶体通道区;其中,该电晶体通道区上方之该闸极氧化层厚度系选自一级数序列;以及形成一导电层于该等闸极氧化层上方,并予回蚀成复数个闸极电极,以该第二方向延伸形成复数条字元线;其中,该电晶体通道区、该电晶体通道区连接之两源极/汲极区、该电晶体通道区上方之该闸极氧化层及该闸极电极共同形成一个记忆单元,藉该闸极氧化层之厚度变化,改变临界电位,形成多阶储存记忆单元。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,该等编码化学气相沈积程序包括:一化学气相沈积以形成一氧化层于表面;以及以一编码罩幕定义,蚀去编码区以外之该氧化层;并且,于最末一次之该等编码化学气相沈积程序之后,进行一氧化作用,以于该编码区以外之该矽基底表面形成氧化层;其中,该级数序列乃经由该等编码化学气相沈积程序与该氧化作用形成之氧化层,即该等闸极氧化层,之各种厚度所组成,该级数序列之阶数系相当于该等编码化学气相沈积程序重覆次数加一。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其系进行至少一次该等编码化学气相沈积程序,以形成至少二阶之记忆单元。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中,该等编码化学气相沈积程序共进行三次,以形成一四阶之记忆单元;其中,该化学气相沈积形成之该氧化层厚度为200,并经由该氧化作用,而依序形成具有150 、280 、470 及660 四阶级数序列之该等闸极电极厚度。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该导电层材质为复晶矽。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该导电 |
