发明名称 半导体记忆装置之电压昇压电路
摘要 一种电压昇压电路,用以将一系统供予之一供应电压 VCC昇高成一既定的昇高电压VPP准位,此电压昇压电路包括一经由三重井区(triple-well)制程形成之一传输电晶体,此传输电晶体具有双极性(bipolar)特性,并如同一双极性二极体(bipolar diode)运作。
申请公布号 TW247969 申请公布日期 1995.05.21
申请号 TW083110841 申请日期 1994.11.22
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔勋
分类号 H01L23/58 主分类号 H01L23/58
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种电压昇压电路,适用于一半导体记忆装置中,包括:一输入接点,用以接收一具有固定周期之振荡信号;一泵昇接点,该泵昇接点被预充至一预定的电压准位;一昇高接点,该昇高接点被提升至较一供应电压高之一昇高电压;一泵昇电容,具有两个电极端点,用以连接该输入接点和该泵昇接点,该泵昇电容根据该输入接点被施予之一电压位准做泵昇;以及一双极性二极体,耦接于该泵昇接点和该昇高接点间,用以传输该泵昇接点之一充电电压及于该昇高接点。2.如申请专利范围第1项所述之该半导体记忆装置,其中,该双极性二极体是一NPN双极性电晶体。3.一种电压昇压电路,适用于一半导体记忆装置上,具有一由第二型杂质形成之一泵昇电容于一第一型基底上,该电压昇压电路包括一双极性电晶体之传输电晶体,包括:一第一第二型井区,形成于该基底上;一第二第一型井区,形成于该第一井区内;一第一第二型扩散区,形成于该第一井区内,但不位于该第二井区内,该第一扩散区连接至一导线,该导线再连接至该泵昇电容;一第一第一型扩散区,形成于该第二井区内,并与该导线相连接;以及一第二第二型扩散区,形成于该第二井区内,并连接至一昇高接点;其中,该传输电晶体经由该泵昇电容产生一昇高电压及于该昇高接点。4.如申请专利范围第3项所述之该电压昇压电路,其中,该第一型是P型,该第二型是N型。5.一种电压昇压电路,适用于一半导体记忆装置中,该半导体记忆装置包括一振荡器,该振荡器用以产生具有固定方波周期之一振荡信号,该电压昇压电路包括:一输入接点,用以接收该振荡信号;一第一反闸,具有一输入端耦接至该输入接点;一第一泵昇电容,具有两个电极端点耦接于该第一反闸和一第一泵昇接点,该第一泵昇电容根据该第一反闸输出信号之电压准位泵昇该第一泵昇接点;一第一预充电晶体,用以预充该第一泵昇接点至相对应之一供应电压准位;一第一双极性传输电晶体,其基极和集极共同耦接至该第一泵昇接点,其射极耦接至一昇高接点,用以产生高于该供应电压之一昇高电压;一第二反闸,具有一输入端耦接至该输入接点;一第三反闸,具有一输入端耦接至该第二反闸之输出端;一第二泵昇电容,具有两个电极端点耦接于该第三反闸和一第二泵昇接点,该第二泵昇电容根据该第三反闸输出信号之电压准位泵昇该第二泵昇接点;一第二预充电晶体,用以预充该第二泵昇接点至相对应之该供应电压准位;以及一第二双极性传输电晶体,其基极和集极共同耦接至该第二泵昇接点,其射极耦接至该昇高接点。6.如申请专利范围第5项所述之该电压昇压电路,尚包括:一第三预充电晶体,其通道区耦接于该第一泵昇接点和一供应电压端之间,其闸极耦接至该第二泵昇接点,该第三预充电晶体预充该第一泵昇接点及于相对应之全般供应电压准位;以及一第四预充电晶体,其通道区耦接于该第二泵昇接点和该供应电压端之间,其闸极耦接至该第一泵昇接点,该第四预充电晶体预充该第二泵昇接点及于相对之该全般供应电压准位。第1图系显示一习知电压昇压电路的特性示意图;第2图系显示本发明之电压昇压电路的等效电路图;第3图系显示第2图之横断面图;第4图系显示根据第2和3图建构之电压昇压电路一较佳实施例的电路图;以及第5图系显示第4图之电路中昇高电压VPP
地址 韩国