| 发明名称 | 用于制备掺杂的有机半导体层的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种用于制备经掺杂的有机半导体层的方法，包括以下方法步骤：A)准备基体材料；B)准备掺杂剂配合物；和C)将基体材料与掺杂剂配合物同时蒸镀到衬底上，在方法步骤C)中使掺杂剂配合物分解，并使纯掺杂剂嵌入到基体材料之中。 | ||
| 申请公布号 | CN101965653A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200980106931.7 | 申请日期 | 2009.02.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | B·格茨;T·多伯廷;K·迪克曼;A·卡尼茨;G·施米德;A·孔策 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;李连涛 |
| 主权项 | 用于制备经掺杂的有机半导体层的方法，包括以下方法步骤：A)准备基体材料，B)准备掺杂剂配合物，和C)将基体材料和掺杂剂配合物同时蒸镀到衬底上，在方法步骤C)中使掺杂剂配合物分解，并使纯掺杂剂嵌入到基体材料之中。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||