发明名称 |
半导体封装件、其制造方法及重布芯片封装体的制造方法 |
摘要 |
一种半导体封装件、其制造方法及重布芯片封装体的制造方法。半导体封装件包括一半导体芯片、一封胶、一第一介电层、一图案化导电层及依第二介电层。半导体芯片包括一接垫并具有一主动表面及一对位标记,对位标记位于半导体芯片的主动表面的几何中心。封胶包覆半导体芯片的侧面,以暴露出主动表面。第一介电层形成于封胶及主动表面的上方。图案化导电层形成于第一介电层。第二介电层形成于图案化导电层的一部份。 |
申请公布号 |
CN101964339A |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN200910160538.8 |
申请日期 |
2009.07.23 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
谢爵安;杨宏仁;黄敏龙 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陆勍 |
主权项 |
一种半导体封装件,至少包括:一半导体芯片,包括一接垫及一对位标记并具有一主动表面,该对位标记位于该半导体芯片的该主动表面的几何中心;一封胶,包覆该半导体芯片的侧面,以暴露出该主动表面;一第一介电层,形成于该封胶及该主动表面的上方,该第一介电层具有一第一开孔,该第一开孔暴露出该接垫;一图案化导电层,形成于该接垫的一部份及该第一介电层;以及一第二介电层,形成于该图案化导电层的一部份。 |
地址 |
中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |