发明名称 |
大功率四相交流开关 |
摘要 |
本实用新型涉及一种大功率四相交流开关,包括封装体和塑封在封装体内底部的铜底板,所述的铜底板上、封装体内焊接有DCB板,DCB板上焊接有8个单向可控硅,所述的8个单向可控硅在DCB板上作反并联连接,每个单向可控硅的门极通过门极控制端子引出至封装体的外部,所述的8个单向可控硅从DCB板的两侧引出6个外电极到封装外壳的外部。本实用新型所述的结构使得大功率的四相交流开关具有高集成度,并且将单向可控硅器件封装在PBT外壳内减小了产品体积,相互干扰少,性能稳定,非常适合在条件较高的中大功率场合使用。 |
申请公布号 |
CN201733284U |
申请公布日期 |
2011.02.02 |
申请号 |
CN201020269615.1 |
申请日期 |
2010.07.22 |
申请人 |
江苏矽莱克电子科技有限公司 |
发明人 |
沈富德 |
分类号 |
H03K17/72(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/72(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
路接洲 |
主权项 |
一种大功率四相交流开关,包括封装体(1)和塑封在封装体(1)内底部的铜底板(2),其特征在于:所述的铜底板(2)上、封装体(1)内焊接有DCB板(3),DCB板(3)上焊接有8个单向可控硅(4),所述的8个单向可控硅(4)在DCB板(3)上作反并联连接,每个单向可控硅(4)的门极通过门极控制端子(5)引出至封装体(1)的外部,所述的8个单向可控硅(4)从DCB板(3)的两侧引出6个外电极(6)到封装体(1)的外部。 |
地址 |
213024 江苏省常州市钟楼区西林街道富林路15号 |