非易失性存储元件

摘要

在非易失性存储元件(100)中，电阻变化层(107)包含第一金属氧化物MO_x和第二金属氧化物MO_y，以公式13来表示化学反应式且与所述第一金属氧化物、所述第二金属氧化物、氧离子以及电子相关的化学反应的反应能量在2eV以下，所述MO_x以及所述MO_y的组(MO_x，MO_y)是从由(Cr₂O₃，CrO₃)、(Co₃O₄，Co₂O₃)、(Mn₃O₄，Mn₂O₃)、(VO₂，V₂O₅)、(Ce₂O₃，CeO₂)、(W₃O₈，WO₃)、(Cu₂O，CuO)、(SnO，SnO₂)、(NbO₂，Nb₂O₅)、以及(Ti₂O₃，TiO₂)而成的群中选择的一组。(公式13)

主权项

1.一种非易失性存储元件，包括：基板；下部电极层，该下部电极层被形成在所述基板上；电阻变化层，该电阻变化层被形成在所述下部电极层上，且按照被施加的电信号变化为高电阻状态和低电阻状态；以及上部电极层，该上部电极层被形成在所述电阻变化层上；所述电阻变化层具有至少由第一金属氧化物层和第二金属氧化物层这两层构成的多层构造，所述第一金属氧化物层包括具有第一电阻率的第一金属氧化物，所述第二金属氧化物层包括具有第二电阻率的第二金属氧化物，该第二金属氧化物是由与所述第一金属氧化物相同的金属元素构成的金属氧化物，所述第二金属氧化物层与所述上部电极层以及所述下部电极层之中的至少一方相接，所述第一电阻率比所述第二电阻率小，在将x、y作为满足x＜y的任意的正的数，将所述第一金属氧化物的组成作为MO_x，将所述第二金属氧化物的组成作为MO_y时，以(公式11)来表示的化学反应式的化学反应的反应能量的绝对值在2eV以下，所述化学反应与所述第一金属氧化物、所述第二金属氧化物、氧离子以及电子相关，所述MO_x以及所述MO_y的组(MO_x，MO_y)是从由(Cr₂O₃，CrO₃)、(Co₃O₄，Co₂O₃)、(Mn₃O₄，Mn₂O₃)、(VO₂，V₂O₅)、(Ce₂O₃，CeO₂)、(W₃O₈，WO₃)、(Cu₂O，CuO)、(SnO，SnO₂)、(NbO₂，Nb₂O₅)、以及(Ti₂O₃，TiO₂)而成的群中选择的一组。