| 发明名称 | 制造半导体陶瓷组成物的工艺以及采用半导体陶瓷组成物的加热器 | ||
| 摘要 | 为了提高BaTiO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3材料的跳跃特性。提供一种用于制造其中一部分Ba用Bi-Na代替的半导体陶瓷组成物的工艺，该工艺包括：制备(BaQ)TiO3煅烧粉末的步骤(其中Q是半导体掺杂剂)，制备(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤，混合(BaQ)TiO3煅烧粉末和(BiNa)TiO3煅烧粉末的步骤，模制和烧结该混合的煅烧粉末的步骤，以及在600℃或更低的温度下热处理该获得的烧结体的步骤；并且采用通过以上步骤制备的元件的PCT加热器。 | ||
| 申请公布号 | CN101959829A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980107173.0 | 申请日期 | 2009.03.12 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 岛田武司;猪野健太郎;木田年纪 |
| 分类号 | C04B35/46(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;杨本良 |
| 主权项 | 一种制造半导体陶瓷组成物的工艺，该半导体陶瓷组成物中的一部分Ba用Bi‑Na代替，该工艺包括在600℃或更低的温度下热处理该半导体陶瓷组成物的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||