| 发明名称 | 浅沟槽填充方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽填充方法，包括：提供衬底；所述衬底内形成有沟槽；所述沟槽侧壁形成有侧壁氧化层；用SiO2以递进速率填充所述沟槽，直至填充所述沟槽的第一宽度；对所述沟槽进行抽真空处理；用SiO2以第二填充速率填充所述沟槽。本发明不但能够有效的填充沟槽，避免出现空隙现象或者出现隙缝现象，而且兼顾了填充效率和填充效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101958267A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054980.2 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郭世璧;洪学鹍;荆学珍;程永亮;符云飞 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽填充方法，包括：提供衬底；所述衬底内形成有沟槽；所述沟槽侧壁形成有侧壁氧化层；其特征在于，还包括：用SiO2以递进速率填充所述沟槽，直至填充所述沟槽的第一宽度；对所述沟槽进行抽真空处理；用SiO2以第二填充速率填充所述沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||