半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供以高批量、低价格提供了一种使用氮化物系化合物半导体的高效率半导体发光元件。在p－GaN层4上形成二维周期凹凸结构，上述凹凸的周期为在由活性层(3)发射光的半导体中波长的1～20倍。结果，通过二元周期结构的凹凸而衍射的效果，改变由活性层(3)发射光的行进方向。在没有凹凸的情况下，满足在半导体元件和空气界面处的全反射条件的辐射角度光，不可能取出到半导体元件外，元件的发光效率低。另一方面，如本发明，以周期形成二维凹凸时，由于以不能形成全反射的角度来衍射光，所以能极大地提高向半导体元件外的取出效率，结果，可提高元件的发光效率。

主权项

1、一种半导体发光元件，其特征在于，包括：具有含氮化物的活性层的半导体多层膜；设在上述半导体多层膜上的，上面具有二维周期结构的凹凸，使由上述活性层发出的光，在上述凹凸中衍射后导出半导体多层膜外的透明层。