| 发明名称 | 一种半导体衬底及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101958236A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910055072.5 | 申请日期 | 2009.07.20 |
| 申请人 | 上海半导体照明工程技术研究中心 | 发明人 | 杨卫桥;王康平;周颖圆;马可军;李抒智;钱雯磊 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片；使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路887弄78号5楼 | ||