检测半导体器件的静电放电性能的方法

摘要

一种检测半导体器件的静电放电性能的方法。所述检测半导体器件的静电放电性能的方法包括：收集在静电放电测试中半导体器件所有测试管脚的失效电压；对所获得的失效电压数据进行概率分布统计；基于所获得的失效电压数据的概率分布，获得外推最低电压；若外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值小于临界范围，则以所述最低值与静电放电参考值比较，获得检测结果；若外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值大于或等于临界范围，则重新进行静电放电测试，或者，进行原因分析以及工艺和/或静电保护设计改进。所述检测半导体器件的静电放电性能的方法，其准确性较高，也节省了检测成本。

主权项

一种检测半导体器件的静电放电性能的方法，其特征在于，包括：收集在静电放电测试中半导体器件所有测试管脚的失效电压；对所获得的失效电压数据进行概率分布统计；基于所获得的失效电压数据的概率分布，获得外推最低电压；若外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值小于临界范围，则以所述最低值与静电放电参考值比较，获得检测结果；若外推最低电压与所获得的失效电压数据中的最低值的差值大于或等于临界范围，则重新进行静电放电测试，或者，进行原因分析以及工艺和/或静电保护设计改进。