高耐压晶体管、其制造方法以及使用其的半导体器件

摘要

一种可防止电涌电压/电流破坏栅极氧化膜的高耐压晶体管，其具备：栅极电极，设置在半导体基板上形成的沟槽中；源极和漏极，在栅极电极的两侧，分别与栅极电极空出规定间隔来形成；电场缓和层，沿沟槽在源极侧的侧壁与沟槽在漏极侧的侧壁形成；以及电场缓和层，形成于栅极电极与源极之间、和栅极电极与漏极之间。

主权项

一种高耐压晶体管，其中，具备：栅极电极，设置在第1传导类型的半导体基板上形成的第1沟槽中；源极和漏极，在所述栅极电极的两侧，分别与所述栅极电极空出规定间隔来形成；第1电场缓和层，沿所述沟槽在所述源极侧的侧壁与所述沟槽在所述漏极侧的侧壁形成；以及第2电场缓和层，包围所述源极和漏极，并形成于所述栅极电极与所述源极之间、和所述栅极电极与所述漏极之间，所述第1电场缓和层的传导类型、所述第2电场缓和层的传导类型、所述源极和漏极的传导类型均是与所述半导体基板相反极性的第2传导类型，漏极/源极接合耐压比晶体管的耐压低1‑3V，所述第2电场缓和层形成至比所述第1电场缓和层的上表面深的位置，所述第2电场缓和层附近的基板杂质的浓度、即杂质的极性与第2电场缓和层相反的基板杂质的浓度，比所述第1电场缓和层附近的基板杂质的浓度高，所述沟槽底面下侧的基板杂质浓度比所述沟槽底面的基板杂质浓度高。