发明名称 |
固体摄像装置以及摄像装置 |
摘要 |
可以防止混色,获得高感光度,并使像素细微化。固体摄像装置具有在第一导电型的半导体衬底上配置有多个受光像素的图像区域,其特征在于,包括:多个光传感器部,通过在半导体衬底上设置构成所述受光像素的受光区域和光电转换区域而形成;第二导电型的第一阱区域,形成在夹着所述光传感器部的所述光电转换区域而与所述受光区域相反的一侧,并与形成溢漏阻隔层的所述第一导电型相反;第二导电型的第二阱区域,在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧,形成在除了与所述光传感器部相对应之处以外的区域上;以及第一导电型区域,在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧,形成在与所述光传感器部相对应的区域上。 |
申请公布号 |
CN101252140B |
申请公布日期 |
2011.01.19 |
申请号 |
CN200810005990.2 |
申请日期 |
2008.02.25 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
原田耕一 |
分类号 |
H04N5/335(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/335(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
董方源 |
主权项 |
一种固体摄像装置,具有在第一导电型的半导体衬底上配置有多个受光像素的图像区域,其特征在于,包括:多个光传感器部,通过在半导体衬底上设置构成所述受光像素的受光区域和光电转换区域而形成;第二导电型的第一阱区域,形成在夹着所述光传感器部的所述光电转换区域而与所述受光区域相反的一侧并形成溢漏阻隔层,所述第二导电型与所述第一导电型相反;第二导电型的第二阱区域,在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧,形成在除了与所述光传感器部相对应之处以外的区域上,所述第二阱区域存在于比第一阱区域深的位置处,并且杂质浓度比所述第一阱区域高;以及第一导电型区域,在夹着所述第一阱区域而与所述光电转换区域相反的一侧,形成在与所述光传感器部相对应的区域上。 |
地址 |
日本东京都 |