发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像传感器及其制造方法,所述图象传感器包括第一衬底、读出电路、电结区域、金属互连和图像传感器件。读出电路形成在第一衬底上和/或上方,电结区域形成在第一衬底中并且电连接至读出电路。金属互连电连接至电结区域。图像传感器件形成在金属互连上和/或上方。 |
申请公布号 |
CN101471353B |
申请公布日期 |
2011.01.19 |
申请号 |
CN200810173268.X |
申请日期 |
2008.10.31 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
黄俊 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;王春伟 |
主权项 |
一种图像传感器,包括:第二导电型衬底;在所述第二导电型衬底上形成的读出电路;在所述第二导电型衬底中形成的并且电连接至所述读出电路的电结区域,所述电结区域包括在所述第二导电型衬底中形成的第二导电型阱、在所述第二导电型阱中形成的第一导电型离子注入层和在所述第一导电型离子注入层上形成的第二导电型离子注入层;形成为延伸穿过所述第二导电型离子注入层和接触所述第一导电型离子注入层的第一导电型连接区域;在所述第二导电型衬底上形成的并且通过所述第一导电型连接区域电连接至所述电结区域的金属互连;和在所述金属互连上形成的图像传感器件,所述图像传感器件包括在所述金属互连上形成的并与所述金属互连接触的高浓度第一导电型导电层、在所述高浓度第一导电型导电层上形成的第一导电型导电层、和在所述第一导电型导电层上形成的第二导电型导电层。 |
地址 |
韩国首尔 |