| 发明名称 | 化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学机械抛光(CMP)方法，包括如下步骤：将晶圆置于第一研磨垫上进行研磨，然后将晶圆置于第二研磨垫上进行研磨，晶圆与第一研磨垫或第二研磨垫之间的压强满足如下条件：第一研磨垫或第二研磨垫的第一部分与晶圆的压强小于2PSI，第一研磨垫或第二研磨垫的第四部分和第五部分与晶圆的压强范围为0.5PSI至0.8PSI；将晶圆置于第三研磨垫上研磨，晶圆与第三研磨垫之间的压强满足如下条件：第三研磨垫的第二部分、第三部分、第四部分和第五部分与晶圆的压强范围均为1.0PSI至1.2PSI。本发明相对于现有技术可以提高CMP机台的利用率，并且降低了单一晶圆研磨的总时间，减小第二类划痕出现的几率，使得晶圆的良品率比较稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN101941180A | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN200910054547.9 | 申请日期 | 2009.07.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 潘继岗;彭澎 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 谢安昆;宋志强 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光方法，包括如下步骤：将晶圆置于第一研磨垫上进行研磨，然后将晶圆置于第二研磨垫上进行研磨，晶圆与第一研磨垫或第二研磨垫之间的压强满足如下条件：第一研磨垫或第二研磨垫的第一部分与晶圆的压强小于2PSI，第一研磨垫或第二研磨垫的第四部分和第五部分与晶圆的压强范围为0.5PSI至0.8PSI；将晶圆置于第三研磨垫上研磨，晶圆与第三研磨垫之间的压强满足如下条件：第三研磨垫的第二部分、第三部分、第四部分和第五部分与晶圆的压强范围均为1.0PSI至1.2PSI。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||