| 发明名称 | 保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明的保护电路保护在负电位振摆的端子。第1保护电路(2)具有第1二极管(D1)和第1晶体管(M1)。第1二极管(D1)的阳极(12)连接到保护对象的端子(P1)。第1晶体管(M1)是其传导沟道的第1端子(22)与第1二极管(D1)的阴极(14)相连接，其传导沟道的第2端子(28)、栅极(24)以及反向栅(26)连接在固定电压端子(P2)的N沟道MOSFET。第1晶体管(M1)是在P型半导体基板上形成的N型阱内所形成的浮动MOSFET。第1二极管(D1)形成于与第1晶体管(M1)共用的N型阱内。第1二极管(D1)的阴极(14)以及第1晶体管(M1)的传导沟道的第1端子(22)与N型阱(30)相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101944529A | 申请公布日期 | 2011.01.12 |
| 申请号 | CN201010225172.0 | 申请日期 | 2010.07.06 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中原宏德 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 郭定辉 |
| 主权项 | 一种保护电路，其特征在于，具有：第1二极管，其阳极连接在保护对象的端子上；以及作为N沟道MOSFET的第1晶体管，其传导沟道的一端与所述第1二极管的阴极相连接，其另一端、栅极以及反向栅与固定电压端子相连接，所述第1晶体管是在P型半导体基板上形成的N型阱内所形成的浮动MOSFET，所述第1二极管形成于与所述第1晶体管共用的所述N型阱内，所述第1二极管的阴极以及所述第1晶体管的所述传导沟道的所述一端，与所述N型阱相连接。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||