发明名称 |
高温微波硅材料熔炼炉 |
摘要 |
本发明公开了一种高温微波硅材料熔炼炉,包括炉壁,坩埚,环状热源托架与所述炉壁的内表面固定连接,热源设置在所述环状热源托架上,所述热源由磁控管和保温层组成,所述磁控管贯穿固定设置在所述保温层上。本发明高温微波硅材料熔炼炉以微波源代替了传统的中频感应加热源,使能耗降低;生产时间缩短;生产成本大大降低。另外,本发明还具有:加热速度快;加热均匀;易于控制的优点。 |
申请公布号 |
CN101942692A |
申请公布日期 |
2011.01.12 |
申请号 |
CN201010290001.6 |
申请日期 |
2010.09.25 |
申请人 |
孙国志 |
发明人 |
孙国志 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
代理人 |
陆艺 |
主权项 |
高温微波硅材料熔炼炉,包括炉壁,坩埚,环状热源托架与所述炉壁的内表面固定连接,热源设置在所述环状热源托架上,其特征是所述热源由磁控管和保温层组成,所述磁控管贯穿固定设置在所述保温层上。 |
地址 |
300100 天津市河东区新开路康馨里1-2-205 |