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一种接合体，其包含欲接合的第一元件、欲接合的第二元件和介于该第一元件和该第二元件之间的接合层，其中该接合层制自Sn金属和Pb以外且熔点高于该Sn金属之熔点的金属材料，其中该Sn金属和该金属材料构成金属互化物(intermetallic conpound)或合金。如申请专利范围第1项之接合体，其中该接合层包括该第一元件和该第二元件中之至少一者之金属元素。如申请专利范围第1项之接合体，其中该接合层包括与该第一元件和该第二元件无关之金属元素。如申请专利范围第1项之接合体，其中该接合层的固相线温度为270℃或以上。如申请专利范围第1项之接合体，其中该接合层中的该Sn金属含量在20至70重量%内。如申请专利范围第1项之接合体，其中该第一元件和该第二元件制自选自Cu、Au、Ni、Ag、Pd、Pt、Al、Ge、Be、Nb、Mn、B和它们的合金中之至少一者。如申请专利范围第1项之接合体，其中该金属互化物或合金制自Cu元素和Ag元素和Sn元素中之至少一者。如申请专利范围第1项之接合体，其中该接合层制自多个具有不同质量比的层。如申请专利范围第1项之接合体，其中该接合层的厚度在1至20微米内。如申请专利范围第1项之接合体，其另外包含形成于该第一元件和该第二元件中之至少一者上之金属化层。如申请专利范围第10项之接合体，其中该金属化层制自选自Cu、Ag、Ti、Ni和Au中之至少一者。如申请专利范围第10项之接合体，其中该金属化层的厚度在0.1至500微米内。如申请专利范围第11项之接合体，其中该第一元件和该第二元件制自Si、SiC、ZnO、Al2O3、GaAs、GaAlAs、Cu和Fe-Ni中之至少一者。一种接合法，其包含：制备欲接合的第一元件和欲接合的第二元件；在该第一元件和该第二元件之至少一者上形成Sn膜；和于250至450℃的温度范围内，经由该Sn膜，对该第一元件和该第二元件施压；其中该第一元件和该第二元件中之至少一者包括熔点高于该Sn金属之熔点的金属材料。如申请专利范围第14项之接合法，其中该Sn膜的厚度设定在1至50微米内。如申请专利范围第14项之接合法，其另外包含形成金属化层以增进该Sn膜于该第一元件和该第二元件中之至少一者上之亲和力。一种接合法，其包含：制备欲接合的第一元件和欲接合的第二元件；形成Sn膜和熔点高于该Sn金属之熔点的金属材料膜；于250至450℃的温度范围内，经由该Sn膜和该金属材料膜，对该第一元件和该第二元件施压。如申请专利范围第17项之接合法，其中该Sn膜和该金属材料膜的总厚度设定在1至50微米内。如申请专利范围第17项之接合法，其另外包含形成金属化层以增进该Sn膜于该第一元件和该第二元件中之至少一者上之亲和力。 |
