| 发明名称 | 存在电荷损耗的EEPROM单元 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种EEPROM存储器单元，包括双栅MOS晶体管，其中两个栅极(87、98)由绝缘层分隔开，其特征在于，绝缘层包括第一部分(89)和绝缘性比该第一部分弱的第二部分(96)，该第二部分至少局部地位于该晶体管的沟道区之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101939824A | 申请公布日期 | 2011.01.05 |
| 申请号 | CN200880124549.4 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 意法半导体(鲁塞)公司 | 发明人 | 帕斯卡尔·弗那拉 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;G04F10/10(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杨生平;钟锦舜 |
| 主权项 | 一种EEPROM存储器单元，包括双栅MOS晶体管，该双栅MOS晶体管的两个栅极(87、98)由绝缘层分隔开，其中所述绝缘层由第一部分(89)和绝缘性比该第一部分弱的第二部分(96)形成，该第二部分至少局部地位于所述晶体管的沟道区之上。 | ||
| 地址 | 法国鲁塞 | ||